Miércoles 14 de octubre de 2026
SK hynix presenta DRAM apilada en 3D sobre procesadores y una hoja de ruta para la memoria de IA
En el SEDEX 2026, SK hynix presentó la DRAM apilada en 3D, que se monta directamente sobre el procesador mediante TSV y prescinde del interposer de la HBM, con producción en masa prevista para 2028. Samsung y SK hynix exhibieron sus HBM4E: Samsung alcanza 3,6 TB/s y 48 GB en 12 capas, y SK hynix anuncia hasta 16 Gbps y muestras enviadas a clientes en junio. SK hynix también presentó la HBF, que ofrecería unas diez veces la capacidad de la HBM actual, y proyecta que los requisitos de rendimiento de la infraestructura de IA crecerán entre 19 y 20 veces hasta 2030.
Fuentes
- SK hynixSK hynix chief touts Korea's AI surge, pushes 3D stacked DRAM and HBF
- SK hynixSK Hynix Introduces Memory Tier Above HBM: 3D Stacked DRAM Mounts on Processor Dies
- SK hynixSK Hynix introduces memory tier above HBM: 3D stacked DRAM mounts on processor dies
- Samsung ElectronicsSamsung, SK hynix escalate Korea AI chip race with HBM4E and new memory
- SK hynixSK hynix showcases next-generation AI memory technologies beyond HBM